2020年6月23日中国の新エネルギー自動車向け駆動分野の先進企業であるLeadrive Technology (Shanghai) Co.,Ltd.（以下、LEADRIVE）とローム株式会社（以下、ローム）は、中国（上海）自由貿易区試験区臨港新区にて、「SiC技術共同研究所」を開設、2020年6月9日に除幕式を実施しました。SiCパワーデバイスは、IGBT*1などのSi（シリコン）パワーデバイスに比べて、「スイッチング損失・導通損失*2が少ない」「温度変化に強い」などの利点があることから、劇的な低損失化を実現できる半導体として、電気自動車のオンボードチャージャーやDC/DCコンバータなどで採用が進んでいます。LEADRIVEとロームは、2017年より協力関係にあり、これまで両社でSiCパワーデバイスを搭載した車載アプリケーション開発について深く技術交流をしてきました。今回、ロームのSiC MOSFET*3ベアチップや絶縁ゲートドライバを活用した車載パワーモジュール・インバータ開発のための共同研究所を開設したことで、今後両社は、SiCを中心とした革新的なパワーソリューション開発をさらに加速していきます。Leadrive Technology (Shanghai) Co.,Ltd. 董事長兼総経理 沈捷（博士）新エネルギー自動車に対してSiCチップを搭載したSiCパワーモジュールの採用は、今後数年間で業界のトレンドになります。全世界の資源を収集し研究開発を加速することで、成熟したSiC搭載製品の商品化を実現できれば、車載Tier1メーカーとして非常に強い競争力を確保することにつながります。ロームとは、LEADRIVE創立から強い協力関係にあります。この共同研究所を通じて、さらに協力関係を深めていきたいと思います。ローム株式会社 執行役員 パワーデバイス事業本部長 伊野和英（博士）ロームは、SiCパワーデバイスのリーディングカンパニーとして、業界をリードするデバイス技術と駆動IC等を組み合わせたパワーソリューションの提供実績を誇っており、xEVのアプリケーションに対してSiCの普及に注力しております。SiCパワーデバイスの技術開発において顧客ニーズや市場動向の把握は非常に重要な要素です。LEADRIVEは車載のパワーモジュールとインバータメーカーとして、SiCの応用研究に重要な役割を果たしてくれます。この共同研究所を通して双方の協力関係を強化し、SiCを中心としたパワーソリューションで自動車の技術革新に貢献してまいります。LEADRIVEについてLEADRIVEは、2017年に設立され、新エネルギー自動車（New Energy Vehicles）に向けて、高度な半導体を搭載したパワーモジュールと、モータ・インバータによるパワーソリューションを提供するハイテク企業です。最先端の研究開発およびアプリケーション設計能力を活用して、高性能かつ低コストの製品を開発しています。 また、SiCベアチップを採用したSiCパワーモジュールおよびシステムの開発において10年以上の経験を蓄積しています。100を超える国際特許を取得するなど、新エネルギー、電力変換、パワーエレクトロニクスの主要3分野において、国際水準の技術を保持しています。詳細については、LEADRIVEのウェブサイト（http://www.leadrive.com/）をご覧ください。＜用語説明＞*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）MOSFET の高速スイッチング特性とバイポーラ・トランジスタの低導通損失特性を併せ持ったパワートランジスタのこと。*2) 導通損失、スイッチング損失MOSFETやIGBTなどトランジスタではデバイス構造上、使用時に損失が生じてしまう。導通損失は、デバイスに電流が流れる際（ON状態時）に、デバイスの抵抗成分によって発生する損失。スイッチング損失は、デバイスの通電状態を切り替える（スイッチング動作時）際に発生する損失。*3) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistorの略）金属－酸化物－半導体電界効果トランジスタのことで、FETの中では最も一般的に使用されている構造である。スイッチング素子として使われる。 この件に関するお問い合わせはこちら
Leadrive TechnologyとロームがSiC搭載車載インバータ開発用、共同研究所を開設
2020年6月23日
中国の新エネルギー自動車向け駆動分野の先進企業であるLeadrive Technology (Shanghai) Co.,Ltd.（以下、LEADRIVE）とローム株式会社（以下、ローム）は、中国（上海）自由貿易区試験区臨港新区にて、「SiC技術共同研究所」を開設、2020年6月9日に除幕式を実施しました。
SiCパワーデバイスは、IGBT*1などのSi（シリコン）パワーデバイスに比べて、「スイッチング損失・導通損失*2が少ない」「温度変化に強い」などの利点があることから、劇的な低損失化を実現できる半導体として、電気自動車のオンボードチャージャーやDC/DCコンバータなどで採用が進んでいます。
LEADRIVEとロームは、2017年より協力関係にあり、これまで両社でSiCパワーデバイスを搭載した車載アプリケーション開発について深く技術交流をしてきました。今回、ロームのSiC MOSFET*3ベアチップや絶縁ゲートドライバを活用した車載パワーモジュール・インバータ開発のための共同研究所を開設したことで、今後両社は、SiCを中心とした革新的なパワーソリューション開発をさらに加速していきます。
Leadrive Technology (Shanghai) Co.,Ltd. 董事長兼総経理 沈捷（博士）
新エネルギー自動車に対してSiCチップを搭載したSiCパワーモジュールの採用は、今後数年間で業界のトレンドになります。全世界の資源を収集し研究開発を加速することで、成熟したSiC搭載製品の商品化を実現できれば、車載Tier1メーカーとして非常に強い競争力を確保することにつながります。
ロームとは、LEADRIVE創立から強い協力関係にあります。この共同研究所を通じて、さらに協力関係を深めていきたいと思います。
ローム株式会社 執行役員 パワーデバイス事業本部長 伊野和英（博士）
ロームは、SiCパワーデバイスのリーディングカンパニーとして、業界をリードするデバイス技術と駆動IC等を組み合わせたパワーソリューションの提供実績を誇っており、xEVのアプリケーションに対してSiCの普及に注力しております。
SiCパワーデバイスの技術開発において顧客ニーズや市場動向の把握は非常に重要な要素です。LEADRIVEは車載のパワーモジュールとインバータメーカーとして、SiCの応用研究に重要な役割を果たしてくれます。この共同研究所を通して双方の協力関係を強化し、SiCを中心としたパワーソリューションで自動車の技術革新に貢献してまいります。
LEADRIVEについて
LEADRIVEは、2017年に設立され、新エネルギー自動車（New Energy Vehicles）に向けて、高度な半導体を搭載したパワーモジュールと、モータ・インバータによるパワーソリューションを提供するハイテク企業です。最先端の研究開発およびアプリケーション設計能力を活用して、高性能かつ低コストの製品を開発しています。 また、SiCベアチップを採用したSiCパワーモジュールおよびシステムの開発において10年以上の経験を蓄積しています。100を超える国際特許を取得するなど、新エネルギー、電力変換、パワーエレクトロニクスの主要3分野において、国際水準の技術を保持しています。
詳細については、LEADRIVEのウェブサイト（http://www.leadrive.com/）をご覧ください。
＜用語説明＞
*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）
MOSFET の高速スイッチング特性とバイポーラ・トランジスタの低導通損失特性を併せ持ったパワートランジスタのこと。
*2) 導通損失、スイッチング損失
MOSFETやIGBTなどトランジスタではデバイス構造上、使用時に損失が生じてしまう。導通損失は、デバイスに電流が流れる際（ON状態時）に、デバイスの抵抗成分によって発生する損失。スイッチング損失は、デバイスの通電状態を切り替える（スイッチング動作時）際に発生する損失。
*3) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistorの略）
この件に関するお問い合わせはこちら金属－酸化物－半導体電界効果トランジスタのことで、FETの中では最も一般的に使用されている構造である。スイッチング素子として使われる。
Latest News