GNE1040TB
EcoGaN™, 150V 10A DFN5060, E-mode GaN HEMT
GNE1040TB
EcoGaN™, 150V 10A DFN5060, E-mode GaN HEMT
GNE1040TBは8Vゲート耐圧の150V GaN HEMTです。低いオン抵抗と高速スイッチング性能を最大限生かすことで省エネ・小型化に貢献するEcoGaN™シリーズの製品であり、電源効率は1MHzの高周波帯でも96.5%以上を実現しています。また、大電流対応かつ放熱性にも優れる汎用性の高いDFNパッケージは、実装工程でのハンドリングを容易にします。 GaN HEMT用のゲートドライバはこちら → GaN用ゲートドライバ
車載機器への使用は推奨されていません。
主な仕様
特性:
VDS [V]
150
IDS [A]
10
VGS Rating [V]
8
RDS(on) [mΩ]
40
Qg [nC]
2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
特長:
- E-mode
- Reliable and easy to use with DFN package
- High gate voltage maximum rating 8V
- Vey high switching frequency
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
-
- Reference Design - REFLD002
- LiDAR向けハイパワーレーザーダイオード高速駆動EcoGaN™ 及び高速Gate Driver
LiDARセンサの用途は、車の自動運転のみならず、産業用途、インフラ用途に大きく広がっています。LiDARセンサには、センシング距離の延伸、高分解能が求められ、レーザーダイオードの特性向上の他に、より高速にハイパワーでレーザーダイオードを駆動する事が必要です。ロームは、905nm, ハイパワー狭発光幅レーザーダイオードをラインアップ。（RLD90QZWxシリーズ）また、高速駆動が可能な次世代デバイスEcoGaN™及び、GaN HEMT用高速ゲートドライバを含めたリファレンスデザインとして提供し、LiDARセンサの特性向上（距離、分解能）に貢献します。
- LiDARアプリケーションのキーデバイスであるレーザーダイオードを高速駆動
- 次世代デバイス EcoGaN™
- GaN HEMT駆動用高速Gate Driver（BD2311NVX-C）
- 矩形波型回路/共振型回路の2種
関連動画&カタログ
