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RV4E031RPHZG

車載用 Pch -30V -3.1A 小信号MOSFET

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RV4E031RPHZG

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寸法図

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RV4E031RPHZG
車載用 Pch -30V -3.1A 小信号MOSFET

RV4E031RPHZGは、優れた実装信頼性を確保した車載向け超小型MOSFETです。ADASカメラモジュールなど車載部品の小型化に貢献します。RV4E031RPHZGは独自のWettable Flank形成技術によってフィレット高さ130μmを実現しています。安定したはんだ品質を下部電極パッケージで確保し、部品実装後の半田付け状態の外観検査を確実なものにします。

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主な仕様

製品概要

近年、ADAS実現に必要不可欠な車載カメラは、設置スペースが限られていることから、搭載部品にも小型化の要求が高まっています。こうした市場要求に応えるため、大電流を保持したまま小型化が望める下面電極パッケージのMOSFETに注目が集まっています。
一方、車載部品においては、信頼性確保のため部品実装後に自動光学検査^※1）が実施されていますが、下面電極パッケージには側面にメッキ加工がないため、車載で必要とされる半田高さ（130μm）を確保できず、実装後の半田づけ状態の確認が困難だという課題がありました。
ロームは、これまで超小型MOSFETをはじめ業界に先駆けた製品開発を行い、高い実績を誇ってきました。今回、独自工法を用いたWettable Flank形成技術^※2）を導入したことにより、下面電極パッケージでも安定した半田フィレットの形成が可能になりました。業界で初めて^※、パッケージ側面の電極部分の高さ130μmを保証しているため、部品実装後の外観検査で確実に半田づけ状態を確認できるようになります。

※2019年7月22日ローム調べ

製品ラインアップ

品名	極性 [ch]	ドレイン・ソース間耐圧 V_DSS[V]	ドレイン電流 I_D[A]	駆動電圧 [V]	ドレイン・ソース間オン抵抗
					R_DS(on)[mΩ] @V_GS=10V		R_DS(on)[mΩ] @V_GS=4.5V		R_DS(on)[mΩ] @V_GS=4.0V		R_DS(on)[mΩ] @V_GS=2.5V		R_DS(on)[mΩ] @V_GS=1.8V		R_DS(on)[mΩ] @V_GS=1.5V
					Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.
RV4E031RP HZG	P	30	3.1	4.0	75	105	108	152	122	172	─	─	─	─	─	─
RV4C020ZP HZG	P	20	2.0	2.5	─	─	180	260	─	─	240	340	320	450	400	560

特長

1．独自工法を用いたWettable Flank形成技術により、パッケージ側面の電極部分の高さ130μm(min.)を保証

Wettable Flank形成技術では、パッケージ側面のリードフレーム部に切り込みを入れてメッキ加工を行います。しかし、リードフレームに切り込みを入れる際に発生するバリは、切り込みの高さが高くなればなるほど多く発生します。
そこで、ロームはバリを抑制するためにリードフレーム全面にバリア層を設ける独自工法を開発。これにより部品実装時の製品の傾きや半田不良を防ぐことができ、DFN1616パッケージ品（1.6mm×1.6mm）としては、業界で初めて、パッケージ側面の電極部分の高さ130μm（min.）保証を実現しました。

Wettable Flank形成技術

2．小型の下面電極 MOSFETへの置き換えで実装面積を削減

従来、ADASカメラモジュールの逆接保護回路ではショットキーバリアダイオード（SBD）が主流でした。しかし、カメラの高解像度化にともない、大電流化が望まれる車載市場では、オン抵抗が低く発熱が低減できるという特長から、SBDより小型なMOSFETへの置き換えが進んでいます。
例えば、電流2.0A、消費電力0.6Wの場合、車載市場で多く使われている端子付きパッケージMOSFETでは、SBDと比べて30%実装面積を小さくできます。一方、下面電極パッケージのMOEFETは、下面が電極となっているので放熱性が良く、小型でありながら大電流化を実現できます。これにより従来の一般品SBDと比べて78％、一般品MOSFETと比べて68％実装面積を削減することができます。