RRH100P03
4V駆動タイプ Pch MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
SOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.014
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0125
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.009
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.014
Total gate charge Qg[nC]
39
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
特長:
・4V駆動タイプ・Pチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
-
- Reference Design - REF66004
- SemiDrive 次世代コクピットSoC 「X9M/X9E」 電源/インターフェースソリューション
ロームは、SemiDrive社の次世代コクピットSoC「X9M/X9E」に最適な電源/インターフェースのリファレンスデザインを開発しました。「X9M/X9E」に最適な電源/インターフェースのリファレンスデザインを提供することにより、設計者の開発負荷の軽減と市場の要求する性能の達成に貢献します。今回リファレンスデザインを開発したSemiDriveの最新の車載SoC「X9M/X9E」は、コクピットをはじめ、さまざまな車載アプリケーションの高機能化に貢献します。
SemiDrive社の次世代コクピットSoC「X9M/X9E」についての問い合わせはこちら
- 「X9M/X9E」の使用に最適化されたScalable PMIC（BD96801Q12）
- 車載カメラモジュールに最適なSerDes IC（BU18xMxx）
- マルチ画面化する車載ディスプレイに向け、フルHD（1,980×1,080ピクセル）対応のSerDes IC（BU18xL82）
- 車載ディスプレイの機能安全に貢献するInterface IC（BU92RTF82）
- 車載向け2.7V～5.5V入力 12A MOSFET内蔵 1ch降圧DC-DCコンバータ (BD9SA01F80)
本リファレンスデザインは3枚の基板で構成されています。
- REF66004-EVK-001 (Core Board)
- REF66004-EVK-002 (SerDes Board)
- REF66004-EVK-003 (Display Board)
関連ニュース：
