SCT3017AL
650V, 118A, THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET
SCT3017ALは650V 118AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
17
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
118
Total Power Dissipation[W]
427
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特長:
・ 低オン抵抗・ 高速スイッチングスピード
・ 高速リカバリー
・ 並列使用が容易
・ 駆動回路が簡単
・ Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
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- Reference Design - REFPDT007
- 5kW 高効率ファンレス インバータ回路
シリコンカーバイト（SiC）MOSFETの高周波スイッチング性能を活かしたトランスリンク方式インターリーブ型回路をインバータ回路に採用し、5kW時の電力変換効率99%以上を達成しました。今回の回路トポロジでは、平滑リアクトルのインダクタンスを小さくすることが可能であり、リアクトルの巻き数を減らし、銅損を劇的に削減することで高効率を実現しました。この斬新なインバータ回路はパワーアシストテクノロジー株式会社様（https://www.power-assist-tech.co.jp/）と共同開発しました。
本リファレンスデザインは、3枚の基板で構成されています。それぞれ下記に示します。
- REFPDT007-EVK-001APower Stage
- REFPDT007-EVK-001BController Board
- REFPDT007-EVK-001CAux Power Supply
SiC MOSFET（SCT3017AL,SCT3030AL）を使ったインターリーブ型は効率99.0%（同51W）と発熱を抑えられているために、冷却ファンを備えることなく小型化された放熱フィンで冷却することが可能となっています。しかもインターリーブ型のため、見かけ上のスイッチング周波数が倍増しており、平滑フィルタが小型化され、サイズおよび重量が半減されています。
