SCS212AM
SiC ショットキーバリアダイオード
主な仕様
特性:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
12
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
37
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.1x19.1 (t=4.8)
特長:
・リカバリー時間が短い。・高速スイッチングが可能。
・特性の温度依存性が少ない。
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
-
- Reference Design - REFPDT007
- 5kW 高効率ファンレス インバータ回路
シリコンカーバイト（SiC）MOSFETの高周波スイッチング性能を活かしたトランスリンク方式インターリーブ型回路をインバータ回路に採用し、5kW時の電力変換効率99%以上を達成しました。今回の回路トポロジでは、平滑リアクトルのインダクタンスを小さくすることが可能であり、リアクトルの巻き数を減らし、銅損を劇的に削減することで高効率を実現しました。この斬新なインバータ回路はパワーアシストテクノロジー株式会社様（https://www.power-assist-tech.co.jp/）と共同開発しました。
本リファレンスデザインは、3枚の基板で構成されています。それぞれ下記に示します。
- REFPDT007-EVK-001APower Stage
- REFPDT007-EVK-001BController Board
- REFPDT007-EVK-001CAux Power Supply
SiC MOSFET（SCT3017AL,SCT3030AL）を使ったインターリーブ型は効率99.0%（同51W）と発熱を抑えられているために、冷却ファンを備えることなく小型化された放熱フィンで冷却することが可能となっています。しかもインターリーブ型のため、見かけ上のスイッチング周波数が倍増しており、平滑フィルタが小型化され、サイズおよび重量が半減されています。
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