新規設計非推奨
SCS308AH
650V, 8A, THD, 高サージ電流耐量 SiCショットキーバリアダイオード
SCS308AH
新規設計非推奨
SCS308AH
650V, 8A, THD, 高サージ電流耐量 SiCショットキーバリアダイオード
既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。
主な仕様
特性:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
8
Generation
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]
57
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.6x10.2 (t=4.7)
特長:
- リカバリー時間が短い。
- 特性の温度依存性が少ない。
- 高速スイッチングが可能。
- 高サージ電流耐量である。
関連動画&カタログ
製品動画一覧
ワイド沿面距離パッケージ SiCショットキーバリアダイオード - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.47 MB )
SCS2xxAN（650V）、SCS2xxKN（1,200V）は、小型面実装パッケージでワイド沿面距離を実現したSiCショットキーバリアダイオードです。小型面実装パッケージながら十分な沿面距離を確保することにより、特別な絶縁対策（ポッティング加工）を施す負荷が軽減できます。
SCS2xxAN（650V）、SCS2xxKN（1,200V）は、小型面実装パッケージでワイド沿面距離を実現したSiCショットキーバリアダイオードです。小型面実装パッケージながら十分な沿面距離を確保することにより、特別な絶縁対策（ポッティング加工）を施す負荷が軽減できます。