BM60213FV-C
1200 V 耐圧 ハイサイド / ローサイドドライバ

BM60213FV-Cはブートストラップ方式を用いたNch-MOSFET及びIGBT駆動可能な1200V高耐圧ハイサイド/ローサイドドライバです。低電圧時誤動作防止機能(UVLO)を内蔵しています。

データシート 在庫確認
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主な仕様

 
形名 | BM60213FV-CE2
供給状況 | 推奨品
パッケージ | SSOP-B20W
包装形態 | テーピング
包装数量 | 2000
最小個装数量 | 2000
RoHS | Yes

機能安全:

カテゴリ : FS supportive
車載用途向けに開発された、機能安全に関する安全解析のサポートが可能な製品です。
ロームの機能安全について

特性:

チャンネル数

2

ハイサイドフローティング電圧 [V]

1200

Turn-on/off time (Typ.) [ns]

75

Vcc(Min.)[V]

10

Vcc(Max.)[V]

24

動作温度範囲(Min.)[℃]

-40

動作温度範囲(Max.)[℃]

125

パッケージサイズ [mm]

6.5x8.1 (t=2.01)

標準規格

AEC-Q100 (Automotive Grade)

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特長:

  • AEC-Q100 対応(Grade 1)
  • ハイサイドフローティング端子耐圧1200 V
  • 低電圧時誤動作防止機能(UVLO)
  • 3.3 V 及び5.0 V のロジック電圧入力可能

リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
    • Evaluation Board - BM60213FV-EVK001

    • The BM60213FV-EVK001 board can be driving IGBT Power Devices for High-side and Low-side on Half-Bridge application. The BM60213FV-C has Power Supply protections which are the Under-Voltage Lockout (UVLO) function at VCCA and VCCB. The BM60213FV-EVK001 allows designers to evaluate Rohm’s Gate Driver family for various applications.

    • User's Guide
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