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Mask ROM＜デバイス原理＞

Mask ROMメモリセル構成

  • 高集積化の為 NAND 構成になっている。（1トランジスタセル）

Mask ROMメモリセル構成

データの書き込み方

Waferプロセス内で情報を書き込む

  • "1"：トランジスタにイオンを打ち込む
  • "0"：イオン打ち込み無し

データの読み出し方

読み出しセルのワード線電位を0Vに
読み出しセル以外のワード線電位をVccに → Bit線に電圧を印加し、
電流が流れれば"1"と判断する

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